目前,越來越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達到很高的效率,必須降低整流損耗。原有整流電路使用肖特基二極管作為整流二極管，但是由于導通壓降在低壓輸出時候相對較大，引起的損耗也是我們不能接受的。于是我們采用低導通電阻的MOSFET 進行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。實現(xiàn)這一功能的電路就叫做同步整流電路。實現(xiàn)同步整流功能的MOSFET 稱作同步整流管。 同步整流IC技術是通過控制功率MOSFET的驅動電路，來利用功率MOSFET實現(xiàn)整流功能的技術。一般驅動頻率固定，可達200kHz以上，門極驅動可以采用交叉耦合(Cross-coupled)或外加驅動信號配合死區(qū)時間控制實現(xiàn)。
1)同步整流技術出現(xiàn)較早，但早期的技術很難轉換為產品，這是由于當時驅動技術不成熟，可靠性不高，現(xiàn)在技術已逐步成熟，出現(xiàn)了專用同步整流驅動芯片，如IR1176等；
2)專用配套的低導通電阻功率MOSFET還未投放市場；
3)還未采用MOSFET并聯(lián)肖特基二極管以降低寄生二極管的導通損耗；
4)在產品設計中沒有解決分布電感對MOSFET開關損耗的影響。
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