場效應管是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、**工作區(qū)域寬等優(yōu)點。
場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。AO2301 MOS場效應管是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管。
MOS場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
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